dr Danuta Żymierska
Instytut Fizyki PAN
al. Lotników 32/46
02-668 Warszawa
 
email: zymier at ifpan.edu.pl
http: www.ifpan.edu.pl
krótki życiorys naukowy:
Studia magisterskie na Wydziale Matematyki, Fizyki i Chemii Uniwersytetu im. Adama Mickiewicza w Poznaniu, praca magisterska p.t. "Kwantowa teoria fal spinowych w antyferromagnetycznej nadstrukturze fcc-(001)".
Studia Doktoranckie w Instytucie Fizyki PAN w Warszawie, praca doktorska p.t. "Temperaturowa zależność rezonansu fal spinowych w ferromagnetykach" (1976).
Instytut Fizyki PAN, Oddział Magnetyków 1971 - 1988.
Universität Duisburg, Republika Federalna Niemiec, pracownik naukowo-dydaktyczny w latach 1981-1982.
Od 1989 roku w Środowiskowym Laboratorium Badań Rentgenowskich i Elektronomikroskopowych Instytutu Fizyki PAN w Warszawie, kierownik Zespołu Badań Realnej Struktury w latach 2000 - 2003.
zainteresowania naukowe:
Fizyka promieniowania rentgenowskiego, badania realnej struktury kryształów, w szczególności warstw przypowierzchniowych i defektów poimplantacyjnych.
wybrane prace:
D. Żymierska , D. Klinger, J. Auleytner, T. Czosnyka, and L. Datsenko "Studies of the near-surface layers of silicon crystals implanted with fast ions" Nucl. Instrum. Meth. B: Beam Interactions with Materials and Atoms 146, 350-355 (1998)
D. Żymierska, J. Auleytner, T. Kobiela, and R. Duś "Comparative Study of the Surface Roughness by AFM and GIXR" Phys. Status Solidi (a) 180, 479-485 (2000)
D. Żymierska, et al. "Structural Changes Induced by Fast Nitrogen Ions in GaAs Single Crystals" J. Alloys Comp. 328, 112-118(2001)
D. Żymierska, K. Godwod, and J. Auleytner "X-ray diffractometric study of polycrystalline precipitates within a single crystal matrix" J. Phys. D: Appl. Phys. 36, A202-A204 (2003)
D. Klinger, J. Auleytner, D. Żymierska, B. Kozankiewicz, L. Nowicki, and A. Stonert "Pulsed laser annealing of Sn-implanted Si single crystal" J. Appl. Phys. 95, 2331-2336 (2004)
W. Wierzchowski, K. Wieteska, J. Auleytner, W. Graeff and D. Żymierska "Synchrotron X-ray diffraction studies of silicon implanted with high-energy Ar ions after thermal annealing" J. Alloys Compd. 382, 146-152 (2004)

@ ostatnio zmodyfikowano 11-04-2006 przez AW

wstecz

strona główna